產品

產品優勢

  • 寬能隙材料擁有耐高溫、高崩潰電壓、高電流密度及高穩定之優勢。
  • 氮化鎵元件相較於矽基元件切換速度快達10倍以上。
  • 氮化鎵技術容許模組精簡化設計，以支援更小的尺寸外觀。
  • 氮化鎵/碳化矽廣泛適用於具備中、高壓元件範疇。
  • 在消費性電子、通訊、工業以及汽車等應用產品快速成長。

GaN


GaN E-mode HEMT

SiC

SiC    DIODE
SiC MOSFET
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